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激光脉冲沉积系统


厂家型号:LMBE-II 
 
仪器配置:
    本设备由球型真空室、旋转靶台、基片加热台、工作气路、真空系统、工作台、电控柜组成,仪器带分子泵真空机组系统,配有离子溅射泵、升华泵、二维扫描机械平台、电动控制,可执行两自由度扫描、公转换靶、靶自转、样品自转、样品温控及激光光束扫描。主真空室压强大小≤5.0x10-8Pa (经烘烤除气后)20分钟可达到5.0x10-3Pa;靶材最大尺寸Φ70mm;基片加热最高温度800±1°C;每块靶材均可自转,转速5-60转/分;高能电源最高能量25KV,最大束流100μA
 
应用领域:
    广泛应用于各个领域薄膜的制备。
    1.主要用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜、功能陶瓷薄膜聚合物薄膜,以及研发高温超导材料、铁电材料、光学材料、电介材料、记忆性材料、氧化物半导体材料、铁磁性材料等。
    2.制备铁电、压电和光电薄膜。脉冲激光沉积(PLD)法可以较容易地控制薄膜的成分,可引入氧气等活性气体,是制备铁电薄膜比较理想的方法。
    3.制备金刚石和类金刚石薄膜。脉冲激光沉积因其可以控制材料的成分和成膜速度而被广泛应用于类金刚石薄膜的制备。
    4.制备高温超导薄膜。PLD技术能实现直接把高温超导薄膜直接沉积到金属基片上,并可以精确控制组分。
    5.应用于纳米结构的生长
    6.应予以透明导电氧化物(TCO),如ITO、ZnO等。

    7.制备生物活性薄膜,脉冲激光沉积技术可以有效克服涂层晶粒粗大、存在裂纹孔洞及不纯净相、涂层与基体的结合强度低等这些缺点,得到高质量的羟基磷灰石薄膜。 

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