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  磁控溅射系统


厂家型号:JGP-5600CCI  


仪器配置:

    1.本设备可实现直流溅射与射频溅射两种溅射模式。  

    2.本设备有6个竖直向上的靶位,4个直流溅射靶位,2个射频靶位。可实现靶位互换,而且靶相对于基片的位置在小范围内由计算机控制连续可调,便于符合实验操作和实验要求。 

    3.采用步进电机及涡轮减速器带动样品转盘及衬底基片和靶极挡板,通过计算机对转盘、靶位、镀膜时间和遮板的控制进行镀膜,具有较高的实验精度。 

    4.本设备有多层膜共溅室可以实现多层合金材料镀膜。  

    5.主真空室压强≤6.67x10-5 Pa,(经烘烤除气后)40分钟可达到 6.6x10-4 Pa,基片加热最高温度600±1°C,靶与样品距离90-110 mm可调。


应用领域:

    磁控溅射目前是一种应用十分广泛的薄膜沉积技术,主要有以下多方面的应用。

    1.适用于各种金属、非金属(塑料、玻璃、陶瓷等)、半导体及介质材料的工件镀铝、铜、铬、钛金、银及不锈钢等金属膜或非金属膜及渗金属DLC膜,所镀膜层具有均匀、致密、附着力强等特点,可广泛用于家用电器、钟表、工艺美术品、玩具、车灯反光罩以及仪器仪表等表面装饰性镀膜及工模具的功能涂层。          

    2.制备高温超导薄膜、铁电体薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜发光材料、太阳能电池、记忆合金薄膜    

    3.在现代机械加工工业中,制备表面功能膜、超硬膜、自润滑薄膜的制备。溅镀材料包括Ti、Cr、Pt、Cu等金属,TiAl6V4、MCrAlY(M指Ni、Co、Fe等金属)等合金,TiN、TiAlN、TiC、TiCN、CrN、TiAlOX、TiB2、SiC等超硬材料,Al2O3、ZrO2等介质材料薄膜,采用非平衡磁控溅射技术沉积单层、多层或纳米结构薄膜。

    4.在微电子领域主要应用在化学气相沉积(CVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)中生长困难及不适用的材料薄膜沉积,而且可以获得大面积非常均匀的薄膜,包括欧姆接触的Al、Cu、Au、W、Ti等金属电极薄膜及可用于栅绝缘层或扩散势垒层的TiN、Ta2O5、TiO、Al2O3、ZrO2、AlN等介质薄膜沉积。

    5.应用在半导体领域的高阶工艺(比:集成电路芯片制造、MEMS、高端二极体芯片制造等、LED和光伏、半导体照明、微机电系统、先进封装等行业



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