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PECVD镀膜

  

    (1)利用物理溅射的原理沉积金属膜层:MO,ALND,ITO。

    (2)利用化学气相沉积的方法沉积半导体或非金属膜层:SINX,a-SI,N+a-SI。

    (3)涂覆对光敏感的光刻胶,曝光完成后将被曝光的PR胶显影掉。

    (4)用反应气体干法刻蚀掉非金属或金属膜层。

    (5)用紫外光将没有掩模的光刻胶感光,完成曝光。

    (6)用化学药液刻蚀掉金属膜层。

    (7)用化学药液将外曝光的光刻胶剥离掉。

    (8)沉积前对膜层进行清洗。

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