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晶体缺陷分析


A1O,/SiC陶瓷中纳米SiC对基体A1O,的强化作用体现在:

(1)固定晶界(AB),控制晶体异常增大,并使晶界中液相强度增加;

(2)钉扎位错强化基体(CD),复合陶瓷内裂纹传播的透射电子显微像和高分辨透射电子显微像,裂纹沿箭头所示的晶界和界面行进。


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